一、環(huán)保要求日趨嚴格，環(huán)保行業(yè)存量市場基數(shù)較大 1、環(huán)境監(jiān)管趨嚴 （1）全國污染源普查 　　第一次全國污染源普查的標準時點為2007年12月31日，時期為2007年度。普查對象是我國境內排放污染物的工業(yè)污染源、農業(yè)污染源、生活污染源和集中式污染治理設施。普查內容包括各類污染源的基本情況、主要污染物的產生和排放數(shù)量、污染治理情況等。2016年10月26日，國務院印發(fā)《國務院關于開展第二次全國污染源普查的通知》（國發(fā)〔2016〕59號），決定開展第二次全國范圍內的污染源普查。普查標準時點為2017年12月31日，時期為2017年度，普查對象是中國境內有污染源的單位和個體經營戶，加大了工業(yè)環(huán)保普查的滲透深度和廣度。 （2）中央環(huán)保督察 　　2016年1月4日，中央環(huán)保督察組正式亮相。中央環(huán)保督察組由環(huán)境保護部牽頭成立，中紀委、中組部的相關領導參加，是代表黨中央、國務院對各省（自治區(qū)、直轄市）黨委和政府及其有關部門開展的環(huán)境保護督察。2016、2017年，中央環(huán)保督察組用不到兩年時間，對全國31個省（區(qū)、市）存在的環(huán)境問題進行了一次全覆蓋式的督察。 　　2018年5月25日，生態(tài)環(huán)境部全面啟動第一批中央環(huán)保督察“回頭看”，重點督察各地經黨中央、國務院審核的中央環(huán)境保護督察整改方案總體落實情況，進一步強化震懾，壓實責任，倒逼落實，為打好污染防治攻堅戰(zhàn)提供強大助力。隨著環(huán)保督查回頭看工作的不斷推進，環(huán)境監(jiān)管逐步進入常態(tài)化。2019年7月，第二輪第一批中央生態(tài)環(huán)境保護督察全部實現(xiàn)督察進駐。 1.png （3）排污許可制度 　　排污許可制度改革是我國環(huán)境管理制度的重大變革。當前固定污染源仍然是我國污染物排放的主要來源，實施統(tǒng)一公平、覆蓋全面的排污許可制度，是落實《生態(tài)文明體制改革總體方案》的重要改革舉措。 　　自2016年開始試點，到2017年全面推行，再到2018年邁出實質性步伐，我國逐步形成了“以總量控制為目標、多種污染物綜合管理”的現(xiàn)行排污許可制度。2016年11月，國務院辦公廳印發(fā)《控制污染物排放許可制實施方案》，明確要將排污許可建設成為固定污染源環(huán)境管理的核心制度。 　　2018年1月，《排污許可管理辦法（試行）》正式出臺，作為我國排污許可制度的第一個部門規(guī)章，規(guī)定了排污許可證核發(fā)程序等內容，細化了環(huán)境保護部門、排污單位和第三方機構的法律責任。 　　2019年6月，生態(tài)環(huán)境部印發(fā)《重點行業(yè)揮發(fā)性有機物綜合治理方案》（環(huán)大氣[2019]53號），全面實施排污許可。對已核發(fā)的涉VOCs行業(yè)，強化排污許可執(zhí)法監(jiān)管，確保排污單位落實持證排污、按證排污的環(huán)境管理主體責任。定期公布未按證排污單位名單。 （4）環(huán)境保護稅 　　2018年1月1日起施行的《環(huán)境保護稅法》，是落實稅收法定原則后的第一部稅法，將取代排污費實現(xiàn)“費改稅”。《環(huán)境保護稅法》明確，大氣污染物、水污染物、固體廢物和噪聲被列為應稅污染物。其中，應稅大氣污染物包括二氧化硫、氮氧化物、一氧化碳、氯氣等。2018年3月，財政部、國家稅務總局、生態(tài)環(huán)境部聯(lián)合發(fā)出通知，對環(huán)境保護稅征收過程中的有關問題進行了明確，包括應稅大氣污染物和水污染物排放量的監(jiān)測計算問題、應稅水污染物污染當量數(shù)的計算問題、應稅固體廢物排放量計算和納稅申報問題、以及應稅噪聲應納稅額的計算問題等。綜上，國家層面對于環(huán)境保護的高度重視，使得環(huán)保行業(yè)景氣度有望保持并持續(xù)提升，為環(huán)境保護專用設備制造業(yè)帶來巨大的市場空間。 2、排放標準趨嚴 （1）泛半導體行業(yè) 　　泛半導體行業(yè)大氣污染物排放尚無具有行業(yè)針對性的國家標準，目前執(zhí)行的是90年代頒布的《大氣污染物綜合排放標準》（GB16297-1996）和《惡臭污染物排放標準》（GB14554-1993）等現(xiàn)行國家綜合性排放標準。由于上述規(guī)定頒布時間較早，已經難以適應當前和今后我國生態(tài)環(huán)境保護工作的要求，2018年12月，生態(tài)環(huán)境部發(fā)布《惡臭污染物排放標準（征求意見稿）》及編制說明，同時，部分省市制定了一系列地方標準予以規(guī)范，例如上海市地方標準《大氣污染物綜合排放標準》（DB31-933-2015）和北京市地方標準《大氣污染物綜合排放標準》（DB11/1631-2019）。 　　針對泛半導體行業(yè)，行業(yè)標準陸續(xù)出臺。2006年11月，上海市環(huán)境保護局聯(lián)合上海市質量技術監(jiān)督局發(fā)布《半導體行業(yè)污染物排放標準》（DB31/374-2006）。2018年3月，環(huán)境保護部聯(lián)合國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布《電子工業(yè)污染物排放標準（二次征求意見稿）》。 　　2019年6月13日，北京市制定并發(fā)布《電子工業(yè)大氣污染物排放標準》（DB11/1631-2019）。 　　電子工業(yè)生產過程中，設備或車間排氣筒排放大氣污染物濃度限值如下表所示： 圖表1：電子工業(yè)大氣污染物排放濃度限值（單位：mg/m3） 數(shù)據(jù)來源：《電子工業(yè)大氣污染物排放標準》（DB11/1631-2019）、韋伯咨詢 　　VOCs燃燒（焚燒、氧化）裝置除滿足上表規(guī)定的限值外，還需對排放煙氣中的氮氧化物、二噁英類進行控制，限值如下表所示： 圖表2：VOCs燃燒（焚燒、氧化）裝置氮氧化物和二噁英類排放限值（單位：mg/m3） 數(shù)據(jù)來源：《電子工業(yè)大氣污染物排放標準》（DB11/1631-2019）、韋伯咨詢 （2）垃圾焚燒發(fā)電行業(yè) 《生活垃圾焚燒污染控制標準》首次發(fā)布于2000年，2001年第一次修訂，2014年第二次修訂。《生活垃圾焚燒污染控制標準》（GB18485-2014）規(guī)定了生活垃圾焚燒廠的選址要求、技術要求、入爐廢物要求、運行要求、排放控制要求、監(jiān)測要求、實施與監(jiān)督等內容。 圖表3：生活垃圾焚燒爐排放煙氣中的污染物限值（單位：mg/m3） 數(shù)據(jù)來源：《生活垃圾焚燒污染控制標準》（GB18485-2014）、韋伯咨詢整理 　　2017年8月，環(huán)境保護部辦公廳印發(fā)《關于征求<生活垃圾焚燒污染控制標準>（GB18485-2014）修改單（征求意見稿）意見的函》，擬對《生活垃圾焚燒污染控制標準》（GB18485-2014）進行進一步修訂。 二、下游產能快速擴張，環(huán)保行業(yè)增量市場快速增長 　　下游行業(yè)的產能擴張與技術進化迭代帶動本行業(yè)市場快速增長。現(xiàn)選取報告期內公司業(yè)務涉及的主要下游行業(yè)，以其投資規(guī)模及其變動趨勢來說明環(huán)境保護專用設備制造業(yè)整體市場需求及變動趨勢。 1、泛半導體行業(yè) （1）光電顯示 　　2016年11月，《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展規(guī)劃》（國發(fā)〔2016〕67號）指出，要“做強信息技術核心產業(yè)，提升核心基礎硬件供給能力”，“實現(xiàn)主動矩陣有機發(fā)光二極管（AMOLED）、超高清（4K/8K）量子點液晶顯示、柔性顯示等技術國產化突破及規(guī)模應用”。2017年2月，光電顯示器件（新型顯示器件）被納入《戰(zhàn)略性新興產業(yè)重點產品和服務指導目錄》（2016版）。國家政策的大力支持將加速光電顯示行業(yè)產能擴張。 　　自2010年起，光電顯示行業(yè)產能逐步由日本、韓國、中國臺灣向中國內地轉移。LCD顯示器方面，隨著以韓國為首的海外企業(yè)在LCD高世代線投資的放緩，未來全球新增高世代線建設將以中國內地企業(yè)為主導。OLED顯示器方面，中國內地企業(yè)在OLED產線的投資規(guī)模及布局僅次于韓國，2017年起，國內面板廠商開始大量投資OLED顯示器產線。 　　按照截至2018年12月的產能規(guī)劃，國內主要面板廠商2018年至2020年OLED面板產線的投資規(guī)模將分別達到745億元、1,115億元和1,033億元，包括LCD在內的面板產線投資規(guī)模分別將達到1,975億元、2,365億元和1,679億元2。光電顯示行業(yè)在國家政策和產業(yè)轉移的驅動下，持續(xù)保持高額投入。 光電顯示行業(yè)環(huán)保投資一般占總投資（包括生產設備購置費和工程建設費）的2.5%-3%，其中廢氣處理投資占比高，超過1/3。 （2）集成電路 　　2014年6月，《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》指出，集成電路產業(yè)是信息技術產業(yè)的核心，是支撐經濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產業(yè)，當前和今后一段時期是我國集成電路產業(yè)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機遇期和攻堅期。2014年9月，國家集成電路產業(yè)投資基金成立，重點投資集成電路芯片制造業(yè)，兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產業(yè)，為行業(yè)的發(fā)展提供了急需的資金支持。2017年2月，集成電路被納入《戰(zhàn)略性新興產業(yè)重點產品和服務指導目錄》（2016版）。國家的強力支持與廣闊的市場空間將有效催化中國大陸集成電路產業(yè)的建設進程。 　　近年來全球各大集成電路企業(yè)，如英特爾、三星、格羅方德、IBM、日月光、意法、飛思卡爾等已陸續(xù)在中國大陸建設工廠或代工廠，向中國轉移產能。中芯國際、武漢新芯、長江存儲、紫光存儲、臺積電、晉華集成、華虹半導體等都已在內地多個城市布局12寸晶圓廠。內資、外資兩大陣營紛紛加碼中國大陸，建廠投資。據(jù)國際半導體設備與材料產業(yè)協(xié)會（SEMI）報告預計，2017-2020年間全球投產的半導體晶圓廠為62座，其中26座設于中國，合計占全球總數(shù)約42%。 　　2018-2020年，中國大陸12寸、8寸晶圓廠建設投資將達7,087億元（其中內資晶圓廠投資達5,303億元，占比75%），年均投資達2,362億元（其中內資晶圓廠投資達1,768億元） 　　無論是從國家戰(zhàn)略、下游需求還是產業(yè)遷移趨勢來看，集成電路產業(yè)向中國大陸轉移已是大勢所趨。 　　集成電路行業(yè)環(huán)保投資一般占總投資的比例不超過5%。由于集成電路是資金密集型行業(yè)，生產線本身投資巨大，其在環(huán)保方面的投入往往達到上千萬甚至上億元人民幣。 2、垃圾焚燒發(fā)電行業(yè) 　　近年來，我國垃圾無害化處理結構持續(xù)調整，逐步由填埋處理為主向焚燒為主轉變。垃圾處理行業(yè)發(fā)展初期，我國尚無成熟的垃圾焚燒發(fā)電技術，衛(wèi)生填埋憑借投資運營成本低得到了快速發(fā)展。2006年后，垃圾焚燒發(fā)電補貼以及稅收優(yōu)惠等政策相繼出臺，垃圾焚燒行業(yè)快速發(fā)展，2008-2017年我國生活垃圾焚燒無害化處理能力從5.16萬噸/日增至29.81萬噸/日，復合增速達21.52%。同時隨著我國垃圾清運量的持續(xù)快速增長，我國垃圾焚燒發(fā)電的處理能力尚存巨大缺口，存在較大的市場空間。 圖表4：生活垃圾焚燒無害化處理能力（單位：萬噸/日） 數(shù)據(jù)來源：國家統(tǒng)計局、韋伯咨詢整理 　　根據(jù)《“十三五”全國城鎮(zhèn)生活垃圾無害化處理設施建設規(guī)劃》（發(fā)改環(huán)資〔2016〕2851號），到2020年底全國城鎮(zhèn)生活垃圾焚燒處理設施能力占無害化處理總能力50%以上，其中東部地區(qū)占60%以上。“十三五”期間，全國需要建設46萬噸/日的新項目，按照目垃圾焚燒項目建設投資成本在40-50萬元/（噸/日），“十三五”期間垃圾焚燒建設市場規(guī)模約2,085億元 焚燒設施的煙氣凈化系統(tǒng)建設成本是總投資的30-50%。 三、部分下游工藝發(fā)展，技術演進產生行業(yè)需求 　　泛半導體行業(yè)是一個技術和資金雙輪驅動的高端制造業(yè)，受到摩爾定律的影響，行業(yè)整體呈現(xiàn)產品性能快速發(fā)展的態(tài)勢，背后則是生產工藝的發(fā)展和相關技術的進步。 　　光電顯示行業(yè)，傳統(tǒng)LCD顯示屏幕市場增長趨于穩(wěn)定，采取新型顯示技術的OLED顯示屏幕市場預計將迎來爆發(fā)式增長。OLED相比LCD，具有厚度小、可視角度大、節(jié)能省電、響應時間短、低溫特性好等特點，此外OLED顯示屏幕能夠在不同材質的基板上制造，制成柔性屏產品能夠在可折疊手機、可穿戴產品等領域取得廣泛應用，有望成為繼LCD之后的第三代主流顯示技術。 　　OLED顯示技術自發(fā)光的特點，決定了其相比LCD，需要在背板段工藝進行更多輪次的成膜、光刻膠涂布、曝光、刻蝕、剝離工序，以疊加不同圖形不同材質的膜層以形成驅動電路，為發(fā)光器件提供點亮信號以及穩(wěn)定的電源輸入。背板段工藝為光電顯示行業(yè)的主要產污來源，工藝循環(huán)次數(shù)的增加將顯著提高工藝廢氣的排放量，相應的增加工藝廢氣治理市場需求。 　　集成電路行業(yè)，受摩爾定律深度影響，產品性能和制造工藝快速發(fā)展，制程從90納米、65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米，一直發(fā)展到現(xiàn)在的10納米、7納米、5納米，行業(yè)具備制造工序多、產品種類多、技術換代快、投資大等特點。 　　薄膜沉積、光刻和刻蝕是集成電路三大核心工藝，反復循環(huán)多次。在摩爾定律的推動下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，直接導致集成電路制造工序愈為復雜。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，20納米工藝所需工序約為1,000道，而10納米和7納米工藝所需工序已超過1,400道。8工序步驟的大幅增加意味著污染物排放的增加。 　　此外，隨著制程納米數(shù)的逐漸降低，直至小于光刻機的波長時，光刻制程會受到駐波效應的限制，需要采用多重模板工藝，重復多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，20納米工藝需要的刻蝕步驟約為50次，而10納米和7納米工藝所需刻蝕步驟則超過100次。9工藝復雜程度的增加相應地也增加了污染物的排放。 　　綜上，下游泛半導體行業(yè)的工藝、技術不斷發(fā)展對環(huán)境保護專用設備制造業(yè)提出了更高的要求，市場需求快速增加，帶來廣闊的市場空間。